Продукция
Продукция

Продукция

Наш завод предоставляет 980 нм накачивающий лазер, широкополосный источник света ase, лазерный диод butterfly. Наша продукция в основном продается в стране и за рубежом.
View as  
 
Источник света для тестирования одномодового оптоволокна 405–940 нм

Источник света для тестирования одномодового оптоволокна 405–940 нм

В этой модели Источник света для тестирования одномодового оптоволокна 405–940 нм используется полупроводниковый лазерный чип типа F-P, а профессионально разработанная схема управления и контроля температуры обеспечивает безопасную работу лазера. Полный диапазон длин волн, стабильные выходная мощность и спектр, одномодовое оптоволокно, превосходное качество светового пятна (режим LP01). Оборудование отличается широким выбором длин волн, регулируемой мощностью, узкой шириной спектральной линии, удобством эксплуатации и высокой безопасностью. Оно может широко использоваться в таких областях, как волоконно-оптические датчики, тестирование оптических устройств, обнаружение полупроводников, машинное зрение и т. д.
Модуль SOA полупроводникового оптического усилителя с высоким коэффициентом усиления 1560 нм и коэффициентом усиления 30 дБ

Модуль SOA полупроводникового оптического усилителя с высоким коэффициентом усиления 1560 нм и коэффициентом усиления 30 дБ

Модуль Модуль SOA полупроводникового оптического усилителя с высоким коэффициентом усиления 1560 нм и коэффициентом усиления 30 дБ в основном используется для усиления оптического сигнала и может значительно увеличить выходную оптическую мощность. Изделия характеризуются высоким коэффициентом усиления, низким энергопотреблением и сохранением поляризации, а также другими характеристиками, и полностью технологичны с использованием отечественных технологий..
Широкополосный источник света ASE 1030 нм

Широкополосный источник света ASE 1030 нм

Box Optronics Широкополосный источник света ASE 1030 нм основан на иттербиевом волоконном и полупроводниковом лазере накачки. Спектр излучения охватывает длину волны 1030 нм, обеспечивая высокую выходную мощность и коэффициент затухания поляризации до 0,2 дБ. Он может использоваться для тестирования волоконно-оптических устройств, производства решеток ВБР и т. д.
808 нм 25 Вт 62,5 мкм многомодовый волоконный лазерный диод для источника накачки

808 нм 25 Вт 62,5 мкм многомодовый волоконный лазерный диод для источника накачки

Как профессиональный производитель, компания Box Optronics стремится предоставить вам высококачественные лазеры 808 нм 25 Вт 62,5 мкм многомодовый волоконный лазерный диод для источника накачки, системы обработки материалов, источники накачки и другие области применения. Наш продукт отличается высокой прочностью и соответствует международным стандартам. Если вас заинтересовал этот продукт, пожалуйста, свяжитесь с нами.
1064 нм инфракрасный DFB-лазерный диод мощностью 200 мВт с волоконной связью

1064 нм инфракрасный DFB-лазерный диод мощностью 200 мВт с волоконной связью

Компания Box Optronics предлагает высококачественные устройства 1064 нм инфракрасный DFB-лазерный диод мощностью 200 мВт с волоконной связью в 14-контактном корпусе BTF. Эти устройства обеспечивают очень стабильную мощность до 200 мВт в режиме непрерывного излучения. Опционально доступны одномодовые и одномодовые оптические волокна. Они оснащены встроенными охладителями термоэлектрического заряда (ТЭО) и мониторными фотодиодами. Коэффициент подавления боковых мод >40 дБ. Они часто используются в оптических системах обнаружения и в качестве затравочных источников для лазеров.
1550 нм 100 мВт 100 кГц узкополосный лазерный диод с разностной линией

1550 нм 100 мВт 100 кГц узкополосный лазерный диод с разностной линией

Компания Box Optronics предлагает 1550 нм 100 мВт 100 кГц узкополосный лазерный диод с разностной линией устройство в 14-контактном корпусе BTF. Эти устройства обеспечивают очень стабильную мощность до 100 мВт в режиме непрерывного излучения и ширину линии <100 кГц. Опционально доступны одномодовые и одномодовые оптоволоконные пигтейлы. Они оснащены встроенными охладителями термоэлектрического конденсатора (ТЭО) и следящими фотодиодами (ФД). Коэффициент подавления боковых мод >40 дБ. Они часто используются в оптических датчиках и оптической связи.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept