Прогресс и тенденции исследований в области лазерной накачки

Научно-исследовательский прогресс Института полупроводников Китайской академии наук:

Институт полупроводников Китайской академии наук достиг большого прогресса в исследовании высокопроизводительных топологических лазеров с электронакачкой. Этот лазер способен производить одномодовый лазер с высокой надежностью и считается идеальным источником света для новых фотоэлектрических интегральных микросхем в будущем. Однако текущий топологический лазер на основе электрической инжекции все еще находится на ранней стадии исследований, выходная мощность низкая, и все еще существует большой разрыв от практического применения.

Разработка источника накачки компанией Caplin:

Компания успешно разработала серию продуктов, охватывающих различные сегменты мощности, включая источник накачки высокой яркости с запертой длиной волны 100 г 140 Вт и источник накачки 420 г 1000 Вт, для получения легких и высокопроизводительных продуктов в сегменте полной мощности. Эти продукты широко используются в промышленности, научных исследованиях, синем свете и других областях.

Прорывы международных исследовательских групп:

Международная исследовательская группа запустила первый полупроводниковый лазер непрерывного действия с электрической накачкой, разработанный для бесшовной интеграции с кремнием. Этот инновационный лазер изготовлен из сверхтонких слоев стеков кремний-германий-олово и германий-олово, что открывает путь к достижениям в области интегрированной на кристалле фотоники. Этот новый лазер решает давнюю проблему высокоэффективного источника света с электрической накачкой, использующего только полупроводники группы IV, что делает его совместимым с традиционными технологиями производства микросхем КМОП.

Кроме того, общая тенденция лазерной промышленности также заслуживает внимания. В связи с растущей жесткой конкуренцией в отрасли компании в цепочке лазерной промышленности пытаются исследовать новые пути. Ожидается, что мировой рынок оборудования для лазерной обработки материалов продолжит расти, и фотоника постепенно перемещается в область полупроводников, что, как ожидается, совершит прорыв на уровне печатных плат и даже на уровне микросхем.