Продукция

Волокно,легированное эрбием,поддерживающее поляризацию панды,в основном используется в оптических усилителях,лидарах и лазерных изделиях,поддерживающих поляризацию1,5мкм.Поляризационное волокно,легированное эрбием,обладает высоким двупреломлением и отличными характеристиками поддержания поляризации.волокно имеет более высокую концентрацию легирования,что уменьшает необходимую мощность насоса и длину волокна,тем самым уменьшая влияние нелинейных эффектов.В то же время оптическое волокно демонстрирует низкие потери сращивания и сильную стойкость к изгибу.Основываясь на процессе приготовления оптического волокна боксоптронического лазера,оптическое волокно,легированное эрбием,поддерживающее поляризацию,имеет хорошую консистенцию.

Волокно, легированное эрбием с высоким поглощением, может уменьшить длину используемого волокна, тем самым уменьшая нелинейное воздействие волокна и в основном используется в волоконных усилителях 1,5 мкм и волоконных лазерах. Волокно накачивается при температуре 980 или 1480 нм и имеет низкие потери сшива и хорошую консистенцию.

мощный волоконный усилитель,легированный эрбием, edfaоснован на технологии волоконного усилителя,легированного эрбием с двойной оболочкой,используя уникальный процесс оптической упаковки в сочетании с надежной конструкцией лазерной защиты мощности для достижения мощного лазерного выхода в диапазоне длин волны1535 ~ 1565нм.с высокой мощностью и низким уровнем шума,его можно использовать для оптоволоконной связи,лидара и т.Д.

Кремниевый фотодиод TO46 для оптического зондирования — это кремниевый фотодиод с корпусом TO46, в котором в качестве базового материала используется кремний, а его основная функция заключается в преобразовании оптических сигналов в электрические.

400 нм-1000 нм кремниевый фотодиодный модуль изготовлен из кремния в качестве основного материала и имеет спектральный диапазон чувствительности 400 нм - 1000 нм, в основном выполняет функции преобразования падающего оптического сигнала в электрический сигнал, достигая фотоэлектрического преобразования.

1100 нм-1650 нм InGaAs фотодиодный модуль представляет собой оптоэлектронное устройство на основе материала арсенида индия-галлия (InGaAs), которое объединяет функцию фотоэлектрического преобразования с соответствующими вспомогательными функциями и используется для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы. Благодаря своим характеристикам, таким как высокая чувствительность и быстрый отклик в определенном спектральном диапазоне, он широко применяется во многих областях, где требуется фотоэлектрическое преобразование, таких как оптическая связь, лазерная локация, спектральный анализ и инфракрасная визуализация. Это незаменимое и важное устройство в современной оптоэлектронной технологии.