1100 нм-1650 нм InGaAs фотодиодный модуль представляет собой оптоэлектронное устройство на основе материала арсенида индия-галлия (InGaAs), которое объединяет функцию фотоэлектрического преобразования с соответствующими вспомогательными функциями и используется для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы. Благодаря своим характеристикам, таким как высокая чувствительность и быстрый отклик в определенном спектральном диапазоне, он широко применяется во многих областях, где требуется фотоэлектрическое преобразование, таких как оптическая связь, лазерная локация, спектральный анализ и инфракрасная визуализация. Это незаменимое и важное устройство в современной оптоэлектронной технологии.
1. Введение в 1100 нм-1650 нм InGaAs фотодиодный модуль
1100 нм-1650 нм InGaAs фотодиодный модуль представляет собой оптоэлектронное устройство на основе материала арсенида индия-галлия (InGaAs), которое объединяет функцию фотоэлектрического преобразования с соответствующими вспомогательными функциями и используется для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы. Благодаря своим характеристикам, таким как высокая чувствительность и быстрый отклик в определенном спектральном диапазоне, он широко применяется во многих областях, где требуется фотоэлектрическое преобразование, таких как оптическая связь, лазерная локация, спектральный анализ и инфракрасная визуализация. Это незаменимое и важное устройство в современной оптоэлектронной технологии.
2. Особенности 1100 нм-1650 нм InGaAs фотодиодного модуля
4.Оптико-электрические характеристики 1100 нм-1650 нм InGaAs фотодиодного модуля
Параметрс
Символ
Состояние
Мин.
Тип.
Макс.
Единица
Диапазон длин волн
λ
1100
-
1650
нм
Отзывчивость
Р
Vr=5В, λ =1310нм
0,85
0,90
-
А/В
Vr=5В, λ =1550нм
0,90
0,95
-
Темновой ток
ИДЕНТИФИКАТОР
Вр=5В
-
0.2
0,5
нА
Емкость
С
Vr=5В, f=1МГц,корпус открыт
-
0,6
0,75
пф
Время нарастания/время спада
ТР/ТФ
Vr=5В, 10~90%
-
-
0.3
нс
Пропускная способность
ЧБ
Vr=5 В, нагрузка 50 Ом сдлиной вывода=6мм,корпус открыт
2.5
-
-
ГГц
Составной биение второго порядка
ОГО
-
-
-70
-
дБ
Составной бит третьего порядка
СТВ
-
-
-80
-
дБ
Рабочее напряжение
В
-
-
-5
-
В
Оптические возвратные потери
ЛОР
λ =1310нм
-
45
-
дБ
5. Чертеж упаковки и определение выводов(единица измерения:мм):
lПакет косичек:
lУпаковка розетки:
6.Доставка,отправка и обслуживание
Вся продукция проходит проверку перед отправкой;
На всю продукцию распространяется гарантия сроком на 1 год. (После окончания гарантийного срока взимается соответствующая плата за техническое обслуживание.)
Мы ценим ваш бизнес и предлагаем политику мгновенного возврата в течение 7 дней (7 дней после получения товара);
Если товары, которые вы покупаете в нашем магазине, не являются идеальным качеством, то есть они не соответствуют электронным спецификациям производителя, просто верните их нам для замены или возврата денег;
Если товар имеет дефекты, пожалуйста, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента доставки;
Для возврата денег или замены любые товары должны быть возвращены в их первоначальном состоянии;
Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
7.Часто задаваемые вопросы
В:Каковы области применения и точность длины волны?
A: Box Optronicsможет предоставить длину волныCWDMиDWDMна выбор.
В:Какой оптический разъем вам нужен?
A: Box Optronicsможет бесплатно изготовить оптический разъем в соответствии с требованиями.
Если у вас есть какие-либо вопросы о предложении или сотрудничестве, пожалуйста, отправьте электронное письмо или используйте следующую форму запроса. Наш торговый представитель свяжется с вами в течение 24 часов.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy