Экспертиза
24 2025-07 Полупроводниковые лазерные диоды накачки
Полупроводниковые лазерные диоды накачки для волоконных лазеров представляют собой устройства с волоконным выводом, обычно основанные на полупроводниковой технологии AlGaAs II-V, излучающие в диапазоне длин волн 800–1000 нм (чаще всего 915 или 976 нм).
18 2025-07 Упаковка активного оптического устройства TO
Кремниевые фотодиоды в корпусе TO обычно называются коаксиальными устройствами.
18 2025-07 Преимущества и применение Полупроводниковый оптический усилитель SOA
Полупроводниковый оптический усилитель (SOA) использует полупроводниковые материалы в качестве среды усиления, что позволяет осуществлять прямое усиление оптического сигнала без предварительного преобразования в электрический.
03 2025-07 Принцип работы 830 нм 1 Вт волоконно-связанного диодного лазера
Среди многих областей современных технологий лазерная технология пользуется большим спросом из-за ее уникальной производительности.